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Winbond(ウィンボンド)の業績推移:売上・営業利益率・財務状況

Winbond Electronicsの連結決算:通年の売上推移

台湾ウィンボンドの業績推移:売上高・営業利益・純利益・利益率の推移
年度 売上高・収益 営業利益
[営業利益率(%)]
純利益・最終損益
[純利益率(%)]
2014年 309億台湾ドル
(1236億円)
32億台湾ドル
(128億円)
[10.4%]
30億台湾ドル
(120億円)
[9.7%]
2015年 308億台湾ドル 35億台湾ドル
[11.3%]
32億台湾ドル
[10.3%]
2016年 420億台湾ドル 37億台湾ドル
[8.8%]
31億台湾ドル
[7.3%]
2017年 475億台湾ドル 66億台湾ドル
[13.8%]
55億台湾ドル
[11.7%]
2018年 511億台湾ドル 79億台湾ドル
[15.4%]
74億台湾ドル
[14.6%]
2019年 487億台湾ドル 12億台湾ドル
[2.4%]
12億台湾ドル
[2.6%]
2020年 606億台湾ドル 16億台湾ドル
[2.6%]
13億台湾ドル
[2.2%]
2021年 995億台湾ドル 184億台湾ドル
[18.4%]
135億台湾ドル
[13.6%]
2022年 945億台湾ドル 165億台湾ドル
[17.5%]
129億台湾ドル
[13.7%]
2023年 750億台湾ドル
(3000億円)
-16億台湾ドル
(-64億円)
[-2.1%]
0.34億台湾ドル
(1.3億円)
[0.04%]
出所:Winbond。本決算期は12月末。()内の日本円表記は1台湾ドル=4.0円で換算。
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平均利益率

ウィンボンドの2014年から2023年までの営業利益率の平均が9.9%。

会社の動向

  • ウィンボンド(台湾名:華邦電子)は1987年設立。誕生年はTSMCと同じ。
  • 低容量から中容量のDRAMやフラッシュメモリを手掛ける半導体メモリメーカー。NOR型フラッシュ/SLC NAND型フラッシュなどのコード格納用フラッシュメモリーと、スペシャリティーDRAM(特殊DRAM)を製造・供給。
  • サムスンやSKハイニックス、マイクロンなどの大手と真っ向勝負してもウィンボンドは勝てないため、ニッチなビジネスに注力。台湾は競合が少ない小さな需要を拾ってコツコツと事業を育てる戦略がある。
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Winbond Electronicsの財政・経営状況

ウィンボンドの財務推移:総資産・純資産・自己資本比率の推移
年度 総資産
[現金・手元資金]
負債総額
[有利子負債]
自己資本・純資産
[自己資本比率(%)]
2015年 594億台湾ドル
[61億台湾ドル]
205億台湾ドル
[131億台湾ドル]
389億台湾ドル
[65.4%]
2020年 1260億台湾ドル
[117億台湾ドル]
554億台湾ドル
[197億台湾ドル]
706億台湾ドル
[56.0%]
2021年 1527億台湾ドル
[309億台湾ドル]
627億台湾ドル
[186億台湾ドル]
900億台湾ドル
[58.9%]
2022年 1842億台湾ドル
[204億台湾ドル]
854億台湾ドル
[508億台湾ドル]
988億台湾ドル
[53.6%]
出所:Winbond
  • ウィンボンドは複数の工場を所有するが、最先端の工場ではなく、さらに小規模であるため、総資産規模も小さい。
  • 量産品であるメモリ業界は定期的に大赤字を出してしまうリスクがあるため、規模を追うような経営はしていない。

保有する工場

  • 台中工場
  • 高雄工場(2020年完成、2021年から稼働)

どの工場においても、DDR2/DDR3などの旧タイプDRAMや、低容量のフラッシュメモリなどの生産が中心。

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世界のDRAMシェア

世界のDRAMメーカーのシェア推移
企業 2016年 2019年 2022年
サムスン(韓国) 47.8% 39.9% 40.7%
SKハイニックス(韓国) 26.4% 31.9% 28.8%
マイクロン(米国) 19.9% 24.0% 26.4%
ナンヤテクノロジ(台湾) 3.3% 2.5% 2.0%
ウィンボンド(台湾) 1.7% 0.7% 0.8%
出所:トレンドフォース
  • 最先端DRAMは、サムスン、SKハイニックス、マイクロンの3社。2020年代に台湾ナンヤ・テクノロジーも最先端10nmクラス参入を表明。
  • Winbondのシェアは低いが、ニッチなビジネスに注力しているので仕方がない。
  • サムスンやSKハイニックスが、需要が縮小する「DDR3 DRAM(旧タイプDRAM)」から撤退するという話しがあるが、ウィンボンドは大手が手放す少ない需要を拾っていく見込み。
  • Winbondは、将来的にDRAM/フラッシュメモリの先端プロセス品の生産を視野に入れているとされる。
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